Vreme čitanja: oko 2 min.
Razvoj „univerzalne memorije“ će bitno povećati brzinu kompjutera
Vreme čitanja: oko 2 min.
Univerzalna memorija bi mogla zameniti i RAM i fleš skladištenje u kompjuterima boljom, bržom i energetski efikasnijom alternativom, a istraživači su upravo napravili jedan korak bliže ka ostvarenju toga.
Superbrza i energetski efikasna univerzalna kompjuterska memorija je korak bliže realnosti pošto su naučnici napravili „ekstremno“ stabilan prototip koristeći potpuno nov materijal.
Taj materijal, nazvan GST467, koji sadrži germanijum, antimon i terbijum, upotrebljen je kao ponavljajući sloj u strukturi naslaganih slojeva, poznatoj kao superrešetka, i mogao bi otvoriti put univerzalnoj memoriji koja bi zamenila i kratkotročno i dugoročno skladištenje. Takođe može biti brža, jeftinija i energetski manje intenzivna, piše Live Science.
Preporučujemo
Muzika proizvodi slične emocije i telesne osećaje u različitim kulturama
Mašina pokazala zašto su oči ogledalo duše: AI prati pokrete oka i tačno zna šta ćete da izaberete
Današnji kompjuteri koriste kratkoročnu memoriju kao što je radna memorija (RAM) i dugoročnu fleš memoriju kao što su poluprovodnički diskovi (SSD) i hard diskovi za različite namene.
RAM je brz, ali zahteva znatnu količinu fizičkog prostora i neprekidno napajanje energijom, što znači da njegovi podaci nestaju kad je kompjuter isključen. Fleš memorija, s druge strane, zadržava podatke bez potrebe za energijom i mnogo je veće gustine, ali je sporija od RAM-a u transferu svojih uskladištenih podataka do procesora.
Nekoliko tehničkih prepreka treba prevazići pre nego što univerzalna memorija koja kombinuje brzinu RAM-a i dugoročnost skladištenja fleš memorije bude komercijalno dostupna.
Novi prototip je oblik fazno promenljive memorije (PCM) koja kreira jedinice i nule kompjuterskih podataka kad prelazi između stanja visokog i niskog otpora na materijalu nalik staklu.
Kad se materijal u PCM kristalizuje – što predstavlja „jedinicu“ – oslobađa veliku količinu energije i ima nizak otpor. Ima visok otpor i apsorbuje istu količinu energije kad se topi – što predstavlja „nulu“.
Istraživači kažu da je GST467 idealan za PCM pošto omogućava višu kristalizaciju i niže temperature topljenja nego druge alternative.
Memorijski uređaji sa GST467 postigli su velike brzine uz potrošnju vrlo malo energije, a toplota je bila ograničena na materijal. Teoretski može da zadrži podatke duže od 10 godina – čak i na temperaturama iznad 120 stepeni Celzijusovih.
Jedna od najboljih alternativnih univerzalnih memorija je ULTRARAM – tehnologija koja koristi drugačiji mehanizam za čuvanje podataka: za razliku od fleš memorije i RAM-a, baziranih na silicijumu, ULTRARAM koristi poluprovodnike napravljene od elemenata iz grupa III i V periodnog sistema.
Novi uređaj bi mogao biti bolji kandidat jer ULTRARAM zahteva 2,5 volti za funkcionisanje, naspram 0,7 volti potrebnih za novi prototip. ULTRARAM takođe koristi toksično jedinjenje indijum-arsenid.
Iako je ULTRARAM mnogo bliže komercijalizaciji, autori nove studije kažu da bi njihov novi prototip bio lakši za integraciju u postojeće metode proizvodnje poluprovodnika – zbog relativno niskih temperatura neophodnih za stvaranje funkcionalnog uređaja.
„Ključni naredni korak je pronalaženje industrijskih partnera radi proširenja projekta na isplativ način“, kaže Erik Pop, profesor električnog inženjeringa na Stanfordskom univerzitetu. „To je jedini način da se uključi u uređaje za široku potrošnju – ako se može proizvesti uz dovoljno niske troškove“.
(Telegraf Nauka/Live Science)
Nauka Telegraf zadržava sva prava nad sadržajem. Za preuzimanje sadržaja pogledajte uputstva na stranici Uslovi korišćenja.
